随着科技的发展，深紫外LED灯珠替代原有的应用技术和产品有着广阔的市场应用前景，我们将深紫外LED与其替代的部分产品进行对比，其优势明显：

水龈灯：在医辽和食品领域，经常使用低压水龈灯杀菌，但是由于水龈容易对环境造成危害，所以研究人员一直希望找到性能优良的环保替代品。深紫外线是一种波长比较短的紫外线，杀灭细菌和病毒的效率比较高。尽管传统水龈灯的总输出功率大，深紫外led公司，单位面积输出光强却非常弱，只有280纳米紫外发光二极管的几百分之一。因此，深紫外280纳米波段LED比传统銾灯更适合近距离快速消毒，而且设备体积特别小巧。

传统紫外灯：传统紫外灯由于其工作原理的需要，与属于半导体产品的LED相比，体积非常庞大，需要高压启辉。此外，尽管传统水龈灯的总输出功率大，单位面积输出光强却非常弱，只有280纳米紫外发光二极管的几百分之一。因此，深紫外280纳米波段LED比传统銾灯更适合近距离快速消毒，清远深紫外led，而且设备体积特别小巧。

深紫外LED灯珠固化灯是一种直接发作紫外光的半导体发光器材，发光波长为200nm至450nm某个波长的光源。能够分为两类：深紫外LED灯珠点光源和深紫外LED灯珠线面光源。

深紫外LED灯珠固化灯(2张)深紫外LED灯珠固化灯构成UVLED固化灯由夹在较薄GaN三明治构造中给一个或多个InGaN量i子阱构成，构成的有源区为覆层。经过改动InGaN量i子阱中InN-GaN的相对份额，发射波长可由紫光变到别的光。AlGaN经过改动AlN份额能用于制造UVLED中的覆层和量i子阱层，但这些器材的功率和成熟度较差。假如有源量i子阱层是GaN，与之相对是InGaN或AlGaN合金，则器材发射的光谱规模为350~370nm。

当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时，则发作紫外线辐射。含铝的氮化物，格外是AlGaN和AlGaInN能够制造更短波长的器材，取得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管现已商业化，根据氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研发成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研发中。

1、深紫外LED灯珠发光机理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒降低，深紫外led杀菌，P区和N区的大都载流子向对方分散。因为电子迁移率比空穴迁移率大得多，深紫外led灯珠多少钱，所以会呈现大量电子向P区分散，构成对P区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的方法开释出去。这即是PN结发光的原理。

2、深紫外LED灯珠发光功率：通常称为组件的外部量i子功率，其为组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量i子功率，本来即是组件自身的电光转换功率，首要与组件自身的特性（如组件资料的能带、缺点、杂质）、组件的垒晶构成及构造等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子，在通过组件自身的吸收、折射、反射后，实践在组件外部可测量到的光子数目。因而，对于取出功率的因素包含了组件资料自身的吸收、组件的几许构造、组件及封装资料的折射率差及组件构造的散射特性等。而组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量i子功率。早期组件开展会集在进步其内部量i子功率，首要办法是通过进步垒晶的质量及改动垒晶的构造，使电能不易转换成热能，进而直接进步深紫外LED灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量i子功率，可是这么的内部量i子功率几乎现已挨近理论上的极限。